نتایج جستجو برای: فولرِین های سیلیسیمی

تعداد نتایج: 477999  

در پژوهش پیش رو تاثیرپذیری ویژگی های نوری نانوقفس های فولرِینی و شبه فولرِینی سیلیسیم، از اندازه و ساختار مولکولی بررسی شده است. فرمول عمومی مولکول های یاد شده به صورت SinHn است که در این تحقیق فولرِین و شبه فولرین های سیلیسیمی متعددی، که کوچکترین آنها 16، و بزرگترین آنها 70 سیلیسیم را شامل می شود، انجام شده اند. تغییرات اندازه ی قطر این نانوقفس ها به طور تقریبی در بازه ی 1 تا 1.7 نانومتر قرار دار...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم 1390

در این پژوهش پایداری فولرین های کاربید سیلیسیم مورد مطالعه قرار گرفت. همچنین برخی از این فولرین ها تحت تاثیر ناخالصی های مختلف قرار داده شد و اثر آنها بر پایداری و ساختار الکترونی بررسی شد. برای بررسی پایداری فولرین ها، مقدار انرژی پیوندی هر اتم برای هر ساختار را با تغییر تعداد اتمهای si و c محاسبه و براساس تقارن موجود در ساختار، ساختار بهینه سازی شده برای هر ترکیب بدست آمد. سپس خواص الکترونی م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه زنجان - دانشکده علوم 1391

سیلیسیم به عنوام مهمترین ماده قرن 20 شناخته شده است که نقش مهمی در کامل کردن چرخه اتقلاب میکروالکترونیک دارد. با اینکه ساختار اتمی si و c به یکدیگر شباهت دارند ولی نانو لوله سیلیسیمی که ویژگی هایی شبیه به ویژگی های نانولوله کربنی داشته باشد، مشاهده نشده است و نانولوله تک دیواره سیلیسیمی با ساختار پایدار در مقاطع عرضی مختلف از جمله راست گوشه، مخمسی و شش ضلعی با استفاده از شبیه سازی پیش بینی شده ...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

ترانزیستور های لایه نازک پلی سیلیسیمی(poly-si tft) به دلیل کاربرد شان در مدار های سوئیچ کننده نمایشگرهای کریستال مایع ماتریس فعال ( ( amlcd و مدار های سه بعدی به طور وسیع در سال های اخیر مورد مطالعه قرار گرفته اند. یکی از مشکلات این نوع ترانزیستورها جریان نشتی بالای آنها می باشد که در نتیجه وجود مرزهای گرین در کانال ترانزیستور به وجود می آید و باعث تضعیف در مشخصات سوئیچینگ می شود. در این پروژه...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکزی - دانشکده علوم پایه 1391

فولرین های عامل دار شده به دلیل توانایی هایشان در زمینه علم مواد و بیوشیمی توجه زیادی را به سمت خود جلب کرده اند. روش های بسیاری برای تهیه مشتقات فولرین شامل گروه های عاملی مختلف توسعه یافته اند. یک روش منحصر به فرد برای سنتز مشتق جدیدی از فولرین بر اساس واکنش دی بنزوئیل استیلن با c60 در حضور تری فنیل فسفین در تولوئن و محدوده دمایی مشخص است. در این واکنش فسفین تنها به عنوان کاتالیزور عمل کرده و...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
علی اصغر شکری aa shokri payame noor university of tehranدانشگاه پیام نور تهران شقایق نیک زاد sh nikzad islamic azad university (north tehran branch)دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران

 در این مقاله، اثر ولتاژ درگاهی، ولتاژ خارجی، اتصالات و طول پیوندهای مختلف را بر روی خواص ترابرد الکتریکی در یک نانوساختار متشکل از مولکول فولرین ( 60 c ) متصل به دو الکترود نیم بینهایت ساخته شده از نانولوله های کربنی تک جداره در رژیم همدوسی بررسی کرده ایم. محاسباتمان مبتنی بر روش تابع گرین مطابق با تقریب بستگی قوی (تنگ بست) نزدیک ترین همسایه است. بعد از محاسبه ضریب عبوردهی الکتریکی، جریان الک...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی اصفهان - دانشکده ریاضی 1392

فرض کنید s یک زیرمجموعه دلخواه از گروه جمعی و متناهی g باشد. گراف جمعی کیلی ?=cays(g,s) گرافی با مجموعه رئوس g است. در این گراف دو راس a و bمجاورند اگر وتنها اگر a+b?s. فولرین های (0,3,6) نوعی گراف 3 - منظم هستند که شامل شش ضلعی ها، مثلث ها و نیم یال می باشند. در این پایان نامه با استفاده از فرمول اویلر تعداد هر یک از وجه ها و درجه رئوس را محاسبه می کنیم و نشان می دهیم که این نوع از فولرین ها گ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید